Vierpol Parameter < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 21:14 Do 05.01.2012 | | Autor: | seackone |
Hallo liebe Community,
wir haben angefangen uns mit dem Vierpol zu beschäftigen.
Dabei haben wir z, y, a und h Parameter kennengelernt und uns wurde auch erläutert, wie man zb. H11 errechnet. Das ist wohl der Eingangswiderstand bei kurzgeschlossenem Ausgang. Demnach also U1/I1.
Nachdem uns die verschiedenen Parameter erläutert und deren Errechnung gezeigt wurde, haben wir angefangen ausschließlich die H11 und H21 Parameter im Bezug zum Transistor zu verwenden.
Leider erschließt sich mir nicht ganz wozu die anderen Parameter sind bzw. wann ich welche verwenden muss. Oder warum ausgerechnet beim Transisor die H Parameter verwendet werden. Kann mir da evtl. kurz jemand auf die Sprünge helfen?
Vielen Dank!
Ich habe diese Frage in keinem Forum auf anderen Internetseiten gestellt.
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 08:07 Fr 06.01.2012 | | Autor: | rainerS |
Hallo!
> Hallo liebe Community,
> wir haben angefangen uns mit dem Vierpol zu
> beschäftigen.
> Dabei haben wir z, y, a und h Parameter kennengelernt und
> uns wurde auch erläutert, wie man zb. H11 errechnet. Das
> ist wohl der Eingangswiderstand bei kurzgeschlossenem
> Ausgang. Demnach also U1/I1.
>
> Nachdem uns die verschiedenen Parameter erläutert und
> deren Errechnung gezeigt wurde, haben wir angefangen
> ausschließlich die H11 und H21 Parameter im Bezug zum
> Transistor zu verwenden.
>
> Leider erschließt sich mir nicht ganz wozu die anderen
> Parameter sind bzw. wann ich welche verwenden muss. Oder
> warum ausgerechnet beim Transisor die H Parameter verwendet
> werden. Kann mir da evtl. kurz jemand auf die Sprünge
> helfen?
Man verwendet gerne diejenige Form, die am praktischsten ist. 
Die Koeffizienten in der Hybridform sind gerade die Steigungen der Kennlinien in Vierfachkennlinienfeld. Zum Beispiel ist bei der Emitterschaltung [mm] $U_1=U_{BE}$, $U_2=U_{CE}$, $I_1=I_B$, $I_2=I_C$. [/mm] Also sind die unabhängigen Größen [mm] $U_2$ [/mm] und [mm] $I_1$ [/mm] der Hybridform in x-Richtung aufgetragen, die anderen in y-Richtung.
Die anderen Formen Z,Y,A usw. sind für andere Kombination von unabhängigen/abhängigen Variablen geeignet. Wenn ich z.B mehrere Vierpole hintereinanderschalten will, ist es einfacher, die Ausgangsgrößen [mm] $(U_2,I_2)$ [/mm] durch die Eingangsgrößen [mm] $(U_1,I_1)$ [/mm] auszudrücken. Dann bekomme ich die Kettenmatrix des Gesamtvierpols durch Multiplikation der Kettenmatrizen der Einzelvierpole. Eine Parallelschaltung erchnet sich am einfachsten in der Y-Form. Und so weiter.
Viele Grüße
Rainer
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(Frage) beantwortet | | Datum: | 20:39 Fr 06.01.2012 | | Autor: | seackone |
| Aufgabe | Bestimmen Sie die dyn. Eingangs -und Ausganswiderstände sowie die Wechselspannungsverstärkung ihres Verstärkers in Emitterschaltung mit den Kleinsignal-Kenngrößen (Vierpolparameter)
Ubat = 12V
Ube = 0,7V
ZL = Rc
Ic = 5mA
B = 100
URe = 1V |
Vielen Dank für deine Antwort Rainer,
hab mich jetzt nochmal eine ganze Weile dazu belesen.
Einige lösen soetwas mit y Parametern, andere wiederum mit den h Parametern.
Zuerst haben ich einige Werte ausgerechnet und bin auf folgendes Ergebnis gestoßen:
Rc = 1 Kohm
Re = 200 ohm
R1 = 18,7 Kohm
R2 = 3,4 Kohm
Rlast = 1 Kohm
Ib = 0,05mA
Urc = 7V
Iq = 0,5mA
Ie = Ic
Nun soll der Schritt erfolgen über die Vierpolparameter den dyn. Eingangs und Ausgangswiderstand zu bestimmen.
Dazu habe ich mir die gegebene Schaltung in ein Wechselstromersatzschaltbild umgezeichnet. Dabei wurden die Parameter für den Ausgangsleitwert und die Spannungsrückwirkung einfach weggelassen, da sie verhältnissmäßig klein ausfallen sollen (wurde mir so gesagt). Die Spannungen U1 und U2 habe ich gleich mal nach deiner Aussage umbeschriftet.
Trotzallem fehlt mir im Moment absolut der Ansatz wie ich weiter machen könnte.
Kann mir da evtl. noch jemand ein Tipp geben?
Vielen Dank!
Dateianhänge:
Anhang Nr. 1 (Typ: PNG) [nicht öffentlich]
Anhang Nr. 2 (Typ: png) [nicht öffentlich]
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(Antwort) fertig | | Datum: | 09:20 Sa 07.01.2012 | | Autor: | Infinit |
Hallo Seackone,
von der Aufgabenstellung her ist es nicht erforderlich, die H-Parameter des beschalteten Transistors auszurechnen, sondern Du sollst den dynamischen oder auch differentiellen Ein- und Ausgangswiderstand mit Hilfe der h-Parameter des Transistors bestimmen. Hierzu kannst Du Dich entlang Deines Ersatzschaltbildes hangeln.
Der dynamische Eingangswiderstand ergibt sich aus
[mm]r_{BE} =\bruch{\delta U_{BE}}{\delta I_B} [/mm]
und Basisstrom und Kollektorstrom sind durch h21 gekoppelt.
[mm] r_{BE}= \bruch{\delta U_{BE}}{\bruch{\delta I_c}{h_21}} [/mm]
Für die Bestimmung von Eingangs- und Ausgangwiderstand helfen Dir die H-Parameter des Transistors weiter, eine recht schöne Übersicht habe ich ![[]](/images/popup.gif) hier gefunden.
Für den dynamischen Ausgangswiderstand bekommt man, ohne Last,
[mm] r_{a}= \bruch{\delta U_{aus}}{\delta I_{aus}} [/mm], wobei bei einer Last RL der Lastwiderstand und [mm] r_a [/mm] einen Spannungsteiler bilden.
Damit kann man erst mal starten.
Viel Erfolg,
Infinit
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 09:24 Sa 07.01.2012 | | Autor: | Infinit |
Der dynamische Eingangswiderstand wurde nicht umgesetzt, hier ist er:
[mm]r_{BE}=\bruch{\delta U_{BE}}{\delta I_B} [/mm]
Nochmal als Text, es ist das Differential von [mm] U_{BE} [/mm] zu [mm] I_B [/mm].
Sorry, ich weiß nicht, weswegen die Formel nicht angezeigt wird.
P.S.: Latexeingabe korrigiert, nun ist alles sichtbar.
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